Накопитель SSD Samsung MZ-75E1T0BW

Код товару: 763684
Немає в наявності
  • Інформація по Samsung MZ-75E1T0BW
  • Виробник: Samsung
  • Модель: MZ-75E1T0BW
  • Короткий опис:

    2.5" 1TB, для компьютера, для ноутбука, SATA III, 540Mb/s, 520Mb/s, 1.5 млн.часов

Опис Samsung MZ-75E1T0BW

Особливості технології 3D V-NAND
У звичайній флеш-пам'яті типу NAND комірки, в яких зберігається інформація, плоскі. Таку пам'ять просто виготовляти, але вона має низку недоліків - для підвищення ємності чіпа доводиться зменшувати розміри комірок, що збільшує їх вплив одна на одну і знижує надійність зберігання інформації. SSD накопичувачі Samsung виготовляються з використанням інноваційної архітектури 3D V-NAND, в якій комірки мають циліндричну форму, яка усуває вплив їх одна на одну, а збільшення ємності досягається за рахунок розташування комірок одна над одною в 32 шари без шкоди для надійності зберігання даних і швидкості роботи. Така конструкція дозволяє створити пам'ять, одночасно містку, швидку і надійну.

Унікальна технологія TurboWrite - неперевершена швидкість обміну даними
Забезпечте максимальну швидкість читання/запису, для оптимізації швидкості виконання рутинних завдань з технологією TurboWrite від компанії Samsung. У порівнянні з серією 840 EVO, накопичувачі серії 850 EVO показують на 13% вищий рівень продуктивності, завдяки більш високій швидкості (близько 2-х разів) випадкового (random) запису. Вони також забезпечують найвищу продуктивність у своєму класі і з послідовною (sequential) швидкістю читання і запису, забезпечуючи результат у 540/520 млн байт/сек, відповідно.

Перейдіть на вищу передачу в режимі RAPID
Накопичувачі серії 850 EVO з інтерфейсом mSATA - справжні швидкісні боліди. Остання версія програми Samsung Magician дозволить вам ще більше збільшити швидкість роботи вашого накопичувача, увімкнувши режим RAPID. Він здатний задіяти до 25% вільної оперативної пам'яті (DRAM) вашого комп'ютера в якості інтелектуального кешу. У режимі RAPID швидкість передачі даних, а також швидкість читання з випадковою (random) вибіркою зростає до 2-х разів у порівнянні зі звичайним режимом.

Надійність підкріплена технологією 3D V-NAND
SSD накопичувачі серії 850 EVO гарантують надійність і довговічність за рахунок подвоєння життєвого циклу Total Bytes Written (TBW) у порівнянні з попереднім поколінням накопичувачів серії 840 EVO, що підтверджується 5-й річною гарантією на пристрої. А з огляду на середнє підвищення продуктивності (Sustained Performance) до 30%, накопичувачі серії 850 EVO стають одними з найнадійніших рішень для зберігання даних.

Енергоефективність за підтримки 3D V-NAND
Накопичувачі серії 850 EVO дозволять вашому ноутбуку працювати не лише швидше, але і довше, завдяки підтримці спеціального режиму сну (при якому пристрій споживає всього лише 2 мВт), а також наявності інноваційної 3D V-NAND технології, яка вимагає на 50% менше енергії в порівнянні з традиційними 2D NAND пристроями, що забезпечує вам до 25% енергоефективності при операціях запису.

Зручний формат для використання з різними пристроями
Універсальні накопичувачі серії 850 EVO з інтерфейсом mSATA підійдуть вам незалежно від типу пристрою, до якого ви збираєтеся їх підключати, або типу їх конектора. Це ідеальне рішення для сучасних домашніх ПК, ноутбуків, або планшетних ПК, де розмір має вирішальне значення.

Динамічний теплозахист
Динамічний теплозахист у накопичувачах серії 850 EVO постійно й автоматично підтримує ідеальну температуру для оптимальної роботи пристрою.

Просте і швидке встановлення
За допомогою програм «One-stop Install Navigator» і Samsung Data Migration, які йдуть у комплекті, ви зможете за дві секунди перенести ваші дані зі старого SSD або HDD накопичувача на накопичувач 850 серії EVO, а за допомогою програм Magician можна розраховувати для його роботу.

Злагоджена робота всіх компонентів
На відміну від багатьох виробників, компанія Samsung самостійно випускає всі компоненти своїх SSD накопичувачів. Результатом цього є висока надійність, ефективність і злагодженість роботи всіх компонентів SSD-накопичувача.

 

 

Характеристики Samsung MZ-75E1T0BW

Тип накопичувача Внутрішній
Обсяг пам'яті 1 TБ
Тип пам`яті NAND TLC
Особливості пам'яті V-Nand, 3D
Швидкість читання, Мб / сек 540.00
Швидкість запису, Мб / сек 520.00
Інтерфейс SATAIII
Форм-фактор 2.5"
Контролер Samsung MGX
Час напрацювання на відмову 1.5 млн. годин
Розміри, мм 100 x 69.85 x 6.8
Вага, г 55
Висота 6.8 мм
Об'єм пам'яті 1 ТБ
Артикул MZ-75E1T0BW