Накопитель SSD Samsung MZ-75E4T0BW
- Інформація по Samsung MZ-75E4T0BW
- Виробник: Samsung
- Гарантія: 60 міс.
- Модель: MZ-75E4T0BW
-
Короткий опис:
2.5" 4TB, для компьютера, для ноутбука, SATA 6Gb/s, 540Mb/s, 520Mb/s, 1.5 млн.часов, 850 EVO
Опис Samsung MZ-75E4T0BW
http://www.samsung.com/semiconductor/minisite/ssd/downloads/document/Samsung_SSD_850_EVO_Data_Sheet_Rev_3_1.pdf
Интерфейсы SATA 6 Гб/с Интерфейс, совместимый с SATA 3 Гб/с и SATA 1,5 Гб/с интерфейсами
Размеры (ШxВxГ) 100,00 x 69,85 x 6,80 (мм)
Вес (г.) Макс. 55 г.
Память Samsung V-NAND 3bit MLC
Контроллер Samsung MHX Контроллер
Кэш память Samsung 2 ГБ низковольтовая DDR3 SDRAM
Поддержка шифрования AES 256 bit Encryption (Class 0) , TCG/Opal, IEEE1667 (Encrypted drive)
Поддержка технологии TRIM Да
S.M.A.R.T Support Да
Поддержка технологии GC (Garbage Collection) для макс. производительности Алгоритм автоматической сборки мусора
Скорость последовательного чтения До 540 МБ/сек последовательное (Sequential) чтение * Производительность может зависеть от настроек ОС и
аппаратной части
Скорость последовательной записи До 520 МБ/сек последовательная (Sequential) запись * Производительность может зависеть от настроек ОС и
аппаратной части
Cкорость случайного чтения блоками 4KB (QD32) До 98 000 IOPS случайное (Random) чтение * Производительность может зависеть от настроек ОС
и аппаратной части
Скорость случайной записи блоками 4KB (QD32) До 90 000 IOPS случайная (Random) запись * Производительность может зависеть от настроек ОС и
аппаратной части
Случайное чтение (4KB, QD1) До 10 000 IOPS случайное (Random) чтение * Производительность может зависеть от настроек ОС и аппаратной части
Случайная запись (4KB, QD1) До 40 000 IOPS случайная (Random) запись * Производительность может зависеть от настроек ОС и аппаратной части
Среднее энергопотребление (на системном уровне) *: 3,1 Ватта *Максимум: 3,6 Ватт (в режиме нагрузки) *Фактическое энергопотребление может
зависеть от настроек ОС и аппаратной части
Энергопотребление в ждущем режиме Макс. 70 мВатт *Фактическое энергопотребление может зависеть от настроек ОС и аппаратной части
Напряжение питания 5 В ± 5% Допустимое напряжение
Среднее время наработки на отказ (MTBF) 1,5 Миллион часов (MTBF)
Диапазон рабочих температур 0 - 70 °C Рабочая температура
Ударостойкость 1 500 Г & 0,5 мс (Полусинусоида)
Установочный комплект - Не доступно
Программное обеспечение - Magician Software для управления SSD доступно для загрузки с сайте производителя
Гарантия 5 лет ограниченной гарантии или 300 TBW (Total Bytes Written) ограниченной гарантии
Характеристики Samsung MZ-75E4T0BW
Производитель | Samsung |
Модель | 2.5" 4TB |
Артикул | MZ-75E4T0BW |
Назначение | для ноутбука, для компьютера |
Объём памяти | 4 TB |
Форм-фактор | 2.5" |
Интерфейс | SATA 6Gb/s |
Скорость чтения, макс. | 540Mb/s |
Скорость записи, макс. | 520Mb/s |
Тип флеш-памяти | TLC |
Наработка на отказ | 1.5 млн.часов |
Серия | 850 EVO |