Модуль памяти G.Skill FA-5300CL5S-1GBSQ

Код товару: 403235
Немає в наявності
  • Інформація по Модуль памяти G.Skill FA-5300CL5S-1GBSQ
  • Виробник:
  • Гарантія: 36 міс.
  • Модель: FA-5300CL5S-1GBSQ
  • Короткий опис:

    DDR2 667 SODIMM 200-контактный, 1x1 Гб, 1.8 В, CL 5

Опис Модуль памяти G.Skill FA-5300CL5S-1GBSQ

SODIMM (Small Outline DIMM) - это специальные модули для портативных компьютеров, отличающиеся уменьшенным размером. Этот тип модулей памяти используется также и в коммуникационном оборудовании, где важны их габариты, во все современные ноутбуки устанавливаются модули формата SODIMM.

У каждого ноутбука и нетбука есть скрытые возможности. Благодаря модулям памяти SoDM DDR2 1024Mb G.Skill (FA-5300CL5S-1GBSQ) Вы узнаете, на что действительно способен ваш компьютер.

DDR3 SDRAM - это третье поколение синхронной динамической памяти с произвольным доступом и удвоенной скоростью передачи данных. Преимущества по сравнению с DDR2:
- более высокая пропускная способность (до 19200 МБ/ с),
- сниженное тепловыделение (результат уменьшения напряжения питания),
- меньшее энергопотреблениие и улучшенное энергосбережение.

Модуль памяти SoDM DDR2 1024Mb G.Skill (FA-5300CL5S-1GBSQ) имеет параметр CL5, что обозначает величину латентности, равную 5. CAS-латентность - первый и самый важный параметр в таймингах, обозначает число тактов, необходимых для выдачи данных на шину.

Модуль памяти SoDM DDR2 1024Mb G.Skill (FA-5300CL5S-1GBSQ) - работает с тактовой частотой 667MHz, и с пиковой скоростью передачи данных 5300 МБ/ с.

Характеристики Модуль памяти G.Skill FA-5300CL5S-1GBSQ

Общие характеристики
Тип памяти DDR2
Форм-фактор SODIMM 200-контактный
Тактовая частота 667 МГц
Объем 1 модуль 1 Гб
Поддержка ECC нет
Буферизованная (Registered) нет
Низкопрофильная (Low Profile) нет
Тайминги
CAS Latency (CL) 5
RAS to CAS Delay (tRCD) 5
Row Precharge Delay (tRP) 5
Activate to Precharge Delay (tRAS) 15
Дополнительно
Напряжение питания 1.8 В
Совместимость для Apple