Модуль памяти для компьютера Hynix HMT451U6AFR8C-PBN0

Код товару: 600105
Немає в наявності
  • Інформація по Модуль памяти для компьютера Hynix HMT451U6AFR8C-PBN0
  • Виробник:
  • Гарантія: 24 міс.
  • Модель: HMT451U6AFR8C-PBN0
  • Короткий опис:

    DDR3 4GB 1600 MHz, Тип памяти - DDR3, Объем памяти - 4 GB, Количество модулей в наборе - 1, Частота памяти - 1600 MHz, CL11, Напряжение - 1.5 V

Опис Модуль памяти для компьютера Hynix HMT451U6AFR8C-PBN0

Память DDR3 4GB 1600 MHz Hynix (HMT451U6AFR8C-PBN0) поможет ускорить обмен данными на компьютере. Оперативная память незаменима для выполнения различных задач, таких как: работа с объемными текстами, таблицами, графиками; архивирование, шифрование, работа с базами данных; компьютерные игры, а также многие другие задачи. DDR3 SDRAM - это третье поколение синхронной динамической памяти с произвольным доступом и удвоенной скоростью передачи данных.

Преимущества по сравнению с DDR2:
- более высокая пропускная способность (до 19200 МБ/ с),
- сниженное тепловыделение (результат уменьшения напряжения питания),
- меньшее энергопотребление и улучшенное энергосбережение.

Данные модули памяти DDR3 созданы на базе новейшего поколения технологии DDR. Как и все модули памяти компании, модули памяти DDR3 спроектированы и созданы таким образом, чтобы полностью соответствовать всем требованиям энтузиастов в области разгона ПК. Модули памяти DDR3 обеспечивают более высокую скорость, более низкое время задержки, более высокую пропускную способность и уменьшенное энергопотребление по сравнению с модулями памяти DDR2.

Характеристики Модуль памяти для компьютера Hynix HMT451U6AFR8C-PBN0

Производитель Hynix
Модель DDR3 4GB 1600 MHz
Артикул HMT451U6AFR8C-PBN0
Тип памяти DDR 3
Объем памяти 4 GB
Количество модулей в наборе 1
Стандарты памяти РС3-1600
Частота памяти 1600 MHz
Тайминги CL11
Напряжение 1.5V
Форм-фактор памяти 240-pin DIMM
Проверка и коррекция ошибок (ECC) non-ECC
Буферизация unbuffered
Охлаждение нет