Накопитель SSD M.2 2280 1TB 9100 PRO Samsung (MZ-VAP1T0BW)

Код товара: 1709459
Есть в наличии
16835 Грн
  • Доставка
  • Самовывоз г.Киев ул.Стрийская 3
  • Отправка Новой почтой
  • Отправка Укрпочтой
  • Условия оплаты
  • Для физ.лиц: наличный расчет, оплата на картку, наложенный платеж
  • Безналичный для юр.лиц: 16835грн.
  • Гарнатия
  • Гарантийный срок: 24 мес.
  • Возврат товара в течение 14 дней. Подробнее
  • Информация по Samsung MZ-VAP1T0BW
  • Производитель: Samsung
  • Страна-производитель: Корея
  • Гарантия: 24 мес.
  • Модель: M.2 2280 1TB 9100 PRO
  • Код производителя: MZ-VAP1T0BW
  • Вес: 0.07 кг.
  • Габариты: 15x25x10 см.
  • Краткое описание:

    Серия - 9100 PRO, 1 TB, 3D TLC NAND, M.2, PCI Express 5.0 x4, Скорость чтения - 14700 Mb/s, Скорость записи - 13300 Mb/s, 80.15 x 22.15 x 2.38 мм, 9 г, черный

Описание Характеристики

Описание Samsung M.2 2280 1TB 9100 PRO

Передовая производительность PCIe 5.0. Поднимите производительность PCIe 5.0 до максимума. 9100 PRO достигает молниеносной скорости последовательного чтения/записи до 14800/13400 МБ/с, причем скорость последовательного чтения вдвое выше, чем у 990 PRO. Оставьте ограничение Gen4 позади благодаря скорости произвольного чтения/записи до 2 200K/2 600K IOPS, что возможно только для Gen5

Каждое задание, мощная параллель. Преодолейте пределы производительности. Захватывающая скорость произвольного чтения/записи обеспечивает сверхбыструю параллельную обработку бесчисленных фрагментированных данных со скоростью до 2200K/2600K IOPS. Оцените отличную производительность и мгновенную загрузку для огромных игр, высокопроизводительных задач и даже приложений искусственного интеллекта

Создавайте с помощью искусственного интеллекта в мгновение ока. Интеллект переопределяет производительность. Преодолейте пределы своих возможностей в работе и развлечениях благодаря встроенному компьютеру с искусственным интеллектом и генерации контента с искусственным интеллектом, что обеспечивается потрясающей скоростью произвольного чтения/записи 9100 PRO до 2 200K/2 600K IOPS. Быстрая загрузка, плавный игровой процесс, бесперебойная работа

Только везде. Повысьте свою конкурентоспособность. С помощью новейших интерфейсов PCI 5.0 вы сможете легко редактировать видео, создавать 3D изображения и даже выполнять длительные сеансы потоковой передачи данных. Оцените передовую производительность в любое время, в любом месте, на любом устройстве и выберите требуемый объем памяти до 8 ТБ.

Чрезвычайная тепловая эффективность. Пиковая производительность без перерыва. Передовая 5-нм архитектура питания контроллера повышает энергоэффективность до 49% по сравнению с 990 PRO. Исключительный термоконтроль гарантирует, что ничто не нарушит ваш поток, и вы сможете поддерживать работу самых требовательных программ с максимально возможной мощностью PCIe 5.0.

Программное обеспечение Samsung Magician. Заставьте ваш SSD работать как по волшебству. Инструменты оптимизации программного обеспечения Samsung Magician обеспечивают лучшую производительность SSD. Это безопасный и простой способ перенести все ваши данные для обновления SSD-накопителя Samsung. Защитите ценные данные, следите за состоянием диска и получайте последние обновления прошивки

Воплощение инноваций в жизнь. На протяжении десятилетий флеш-память NAND компании Samsung служит основой для революционных технологий, изменивших все сферы нашей повседневной жизни. Эта технология NAND также используется в наших потребительских твердотельных накопителях, освобождая место для следующего большого рывка в инновациях.

Характеристики Samsung M.2 2280 1TB 9100 PRO

Серия 9100 PRO
Скорость записи 13300 MB/s
Модель MZ-VAP1T0BW
Объем SSD 1000 GB
форм-фактор тевродотельного диска M.2
NVMe Да
версия NVMe 2.0
Комплектующие для PC/Game console
аппаратное шифрование Да
M.2 SSD size 2280 (22 x 80 mm)
Скорость считывания 14700 MB/s
Случайное чтение (4KB) 1.85e+006 IOPS
Случайная запись (4KB) 2.6e+006 IOPS
линии данных интерфейса PCI Express x4
Поддержка DevSlp (device sleep) Да
Поддержка TRIM Да
Поддержка S.M.A.R.T. Да
Алгоритмы шифрования данных 256-bit AES
Среднее время наработки на отказ 1.5e+006 h
Рабочее напряжение 3.3 V
Потребление мощности (чтение) 7.6 W
Потребление мощности (запись) 7.2 W
Среднее энергопотребление (чтение) 7.6 W
Среднее энергопотребление (запись) 7.2 W
Потребление мощности (холостой ход) 0.004 W
Энергопотребление в режиме ожидания (DevSlp) 3.3 mW
Ширина 80.15 mm
Глубина 2.38 mm
Высота 80.15 mm
Вес 9 g
Тип упаковки Коробочная версия
Диапазон температур при эксплуатации 0 - 70 °C
Ударная нагрузка в рабочем режиме 1500 G
Гарантийный срок 5 лет
Количество в транспортной упаковке 60
Вес упаковки 6.65 кг
Высота упаковки 28 см
Глубина упаковки 46.5 см
Ширина упаковки 40 см
Объем 0.000868 м3
Вес без упаковки 0.009 кг
Вес в упаковке 0.111 кг
Уровень параметра 3
Summary Samsung MZ-VAP1T0. Объем SSD: 1 TB, форм-фактор тевродотельного диска: M.2, Скорость считывания: 14700 MB/s, Скорость записи: 13300 MB/s, Комплектующие для: PC/Game console
Тип памяти V-NAND TLC
Интерфейс PCI Express 5.0

Похожие по цене товары - Samsung MZ-VAP1T0BW

Похожие товары других производителей