Модуль памяти DDR2 1GB 800 MHz Hynix HMYP112U6EFR8C-S / HMYP112S64CP6-S6AB-C

Код товара: 247543
Нет в наличии
  • Информация по Hynix HMYP112U6EFR8C-S / HMYP112S64CP6-S6AB-C
  • Производитель: Hynix
  • Страна-производитель: Польша
  • Гарантия: 36 мес.
  • Модель: DDR2 1GB 800 MHz
  • Код производителя: HMYP112U6EFR8C-S / HMYP112S64CP6-S6AB-C
  • Вес: 0.02 кг.
  • Краткое описание:

    800 MHz, PC2-6400, CL6, 1 планка

Описание Hynix DDR2 1GB 800 MHz

DDR2 SDRAM - это второе поколение синхронной динамической памяти с произвольным доступом и удвоенной скоростью передачи данных. DDR2 SDRAM использует передачу данных по обоим срезам тактового сигнала, за счёт чего при такой же частоте шины памяти, можно фактически удвоить скорость передачи данных по сравнению с DDR. Преимущества DDR2 SDRAM по сравнению с DDR:  более высокая полоса пропускания;  как правило, меньшее энергопотребление;  улучшенная конструкция, способствующая охлаждению.

Модуль памяти DDR2 1GGB 800 MHz Hynix (HYMP112U64CP8-S6) имеет параметр CL6, что обозначает величину латентности, равную 6. CAS-латентность - первый и самый важный параметр в таймингах, обозначает число тактов, необходимых для выдачи данных на шину. От этого параметра больше всего зависит производительность памяти, так как только он задерживает доступ к данным, чем меньше задержка CL, тем раньше данные поступают в память. DDR2 1GGB 800 MHz Hynix работает с тактовой частотой 800MHz и с пиковой скоростью передачи данных 6400 МБ/с или 6.4 ГБ/с. 

Характеристики Hynix DDR2 1GB 800 MHz

Производитель Hynix
Модель DDR2 1GB 800 MHz
Артикул HYMP112U64CP8-S6
Тип памяти DDR2
Объем памяти 1 ГБ
Количество модулей в наборе 1
Частота памяти 800 MHz
Тайминги CL6
Напряжение 1.8 V
Охлаждение нет
(Сборка) Потребляемая мощность 6 Вт
Примечание Поставка товара возможна в ОЕМ-версии. То есть, товар может поставляться без сопровождающих материалов и дополнительных компонентов, в упаковке без оформления, гарантирующей только их безопасную транспортировку.