IT/RAM HYNIX DDR2 2Gb 800MHz Original Bulk (HYMP125U64CP8-S6) HYMP125U64CP8-S6/*-C

Код товара: 244192
Есть в наличии
388 Грн
  • Доставка
  • Самовывоз г.Киев ул.Стрийская 3
  • Отправка Новой почтой
  • Отправка Укрпочтой
  • Условия оплаты
  • Для физ.лиц: наличный расчет, оплата на картку, наложенный платеж
  • Безналичный для юр.лиц: 388грн.
  • Гарнатия
  • Гарантийный срок: 36 мес.
  • Возврат товара в течение 14 дней. Подробнее
  • Информация по Hynix HYMP125U64CP8-S6/*-C
  • Производитель: Hynix
  • Страна-производитель: Южная Корея
  • Гарантия: 36 мес.
  • Модель: Original
  • Код производителя: HYMP125U64CP8-S6/*-C
  • Вес: 0.001 кг.
  • Краткое описание:

    Тип : DDR2; Объем памяти : 2 GB; Тактовая частота: 800 MHz

Описание Hynix Original

DDR2 SDRAM - это второе поколение синхронной динамической памяти с произвольным доступом и удвоенной скоростью передачи данных.

DDR2 SDRAM использует передачу данных по обоим срезам тактового сигнала, за счёт чего при такой же частоте шины памяти, можно фактически удвоить скорость передачи данных по сравнению с DDR.

Преимущества DDR2 SDRAM по сравнению с DDR:
- более высокая полоса пропускания;
- как правило, меньшее энергопотребление;
- улучшенная конструкция, способствующая охлаждению.

Модуль памяти DDR2 2048Mb Hynix (HYMP125U64CP8-S6-C) имеет параметр CL6, что обозначает величину латентности, равную 6. CAS-латентность - первый и самый важный параметр в таймингах, обозначает число тактов, необходимых для выдачи данных на шину. От этого параметра больше всего зависит производительность памяти, так как только он задерживает доступ к данным, чем меньше задержка CL, тем раньше данные поступают в память.

DDR2 2048Mb Hynix (HYMP125U64CP8-S6-C) работает с тактовой частотой 800MHz, и с пиковой скоростью передачи данных 6400 МБ/с или 6.4 ГБ/с.

Характеристики Hynix Original

Тайминги CL6 (6-6-6)
Охлаждение Нет
Тип памяти DDR2
Объем 2 GB
Стандарт памяти PC2-6400
Частота функционирования 800 MHz
Контроль четности Non-ECC
Пропускная способность 6400 Мб/с
Напряжение питания 1.8 В
Количество чипов модуля 16