IT/RAM HYNIX DDR2 2Gb 800MHz Original Bulk (HYMP125U64CP8-S6) HYMP125U64CP8-S6/*-C
- Информация по Hynix HYMP125U64CP8-S6/*-C
- Производитель: Hynix
- Страна-производитель: Южная Корея
- Гарантия: 36 мес.
- Модель: Original
- Код производителя: HYMP125U64CP8-S6/*-C
- Вес: 0.1 кг.
- Габариты: 15x5x2 см.
-
Краткое описание:
Тип : DDR2; Объем памяти : 2 GB; Тактовая частота: 800 MHz
Описание Hynix Original
DDR2 SDRAM - это второе поколение синхронной динамической памяти с произвольным доступом и удвоенной скоростью передачи данных.DDR2 SDRAM использует передачу данных по обоим срезам тактового сигнала, за счёт чего при такой же частоте шины памяти, можно фактически удвоить скорость передачи данных по сравнению с DDR.
Преимущества DDR2 SDRAM по сравнению с DDR:
- более высокая полоса пропускания;
- как правило, меньшее энергопотребление;
- улучшенная конструкция, способствующая охлаждению.
Модуль памяти DDR2 2048Mb Hynix (HYMP125U64CP8-S6-C) имеет параметр CL6, что обозначает величину латентности, равную 6. CAS-латентность - первый и самый важный параметр в таймингах, обозначает число тактов, необходимых для выдачи данных на шину. От этого параметра больше всего зависит производительность памяти, так как только он задерживает доступ к данным, чем меньше задержка CL, тем раньше данные поступают в память.
DDR2 2048Mb Hynix (HYMP125U64CP8-S6-C) работает с тактовой частотой 800MHz, и с пиковой скоростью передачи данных 6400 МБ/с или 6.4 ГБ/с.
Характеристики Hynix Original
Объем памяти | 2 ГБ |
Количество модулей в наборе | 1 |
Частота памяти | 800 МГц |
Подсветка | нет |
Форм-фактор памяти | 240-pin DIMM |
Буферизация | unbuffered |
(Сборка) Высота модуля памяти | стандарт |
(Сборка) Потребляемая мощность | 6 Вт |
Примечание | Поставка товара возможна в ОЕМ-версии. То есть, товар может поставляться без сопровождающих материалов и дополнительных компонентов, в упаковке без оформления, гарантирующей только их безопасную транспортировку. |
Тайминги | CL6 |
Охлаждение | нет |
Тип памяти | DDR2 |
Напряжение питания | 1.8 В |
Похожие по цене товары - Hynix HYMP125U64CP8-S6/*-C
-
BAREBOOK ACC OTHER Hynix HYMP125S64CR8-S6CP8-S6 AB-C / HYMP125S64CR8
NB MEMORY 2GB PC6400 DDRII SO HYNIX
458 ГрнID: 332506Есть в наличии- DDR-3 4GB 1600 Hynix Original HMT451U6BFR8C-PBN0 AA DDR3 4GB 1600 MHz
DDR3, 4 ГБ, В наборе - 1, Частота памяти - 1600 МГц, Тайминги - CL11, Напряжение питания - 1.5 В
579 ГрнID: 639579Есть в наличии- Модуль памяти для ноутбука SoDIMM DDR3 4GB 1600 MHz Hynix (HMT351S6CFR8C-PB)
DDR3, 4 ГБ, В наборе - 1, 1600 МГц, CL11, 1.5 В, 204-pin SO-DIMM, non-ECC
617 ГрнID: 600034Есть в наличии- Модуль памяти для ноутбука SoDIMM DDR3 8GB 1600 MHz Oem Hynix (HMT41GS6MFR8C-PB)
DDR3, 8 ГБ, В наборе - 1, 1600 МГц, CL11, 1.5 В, non-ECC
779 ГрнID: 659976Есть в наличии- Модуль памяти DDR3 8GB 1600 MHz Hynix HMT41GU6MFR8C-PBN0 AA
1600 MHz, PC3-12800, 1 планка
794 ГрнID: 547592Есть в наличии- Модуль памяти для ноутбука SoDIMM DDR4 8GB 3200 MHz Hynix (HMA81GS6DJR8N-XN)
DDR4, 8 ГБ, В наборе - 1, 3200 МГц, CL22, 1.2 В, non-ECC
957 ГрнID: 1150867Есть в наличииПохожие товары других производителей
-
Модуль памяти SO-DIMM 4GB/1600 1,35V DDR3L GOODRAM GR1600S3V64L11S/4G SoDIMM DDR3L 4GB 1600 MHz
DDR3, 4 ГБ, В наборе - 1, 1600 МГц, CL11, 1.35 В, 204-pin SO-DIMM
467 ГрнID: 602879Есть в наличии- Модуль памяти для компьютера DDR4 4GB 2666 MHz eXceleram (E404269A)
DDR4, 4 ГБ, В наборе - 1, Частота памяти - 2666 МГц, Тайминги - CL19, Напряжение питания - 1.2 В, Подсветка - нет
470 ГрнID: 906801Есть в наличии- Модуль памяти для компьютера DDR4 4GB 2666 MHz LOGO Series eXceleram (EL404269A)
DDR4, 4 ГБ, В наборе - 1, Частота памяти - 2666 МГц, Тайминги - CL19, Напряжение питания - 1.2 В, Подсветка - нет
464 ГрнID: 1113949Есть в наличии- Модуль памяти для компьютера DDR4 4GB 3200 MHz Golden Memory (GM32N22S8/4)
DDR4, 4 ГБ, В наборе - 1, Частота памяти - 3200 МГц, Тайминги - CL22, Напряжение питания - 1.35 В, Подсветка - нет
472 ГрнID: 1552793Есть в наличии- Модуль памяти для компьютера DDR4 4GB 2400 MHz NCP (NCPC9AUDR-24M58)
DDR4, 4 ГБ, В наборе - 1, Частота памяти - 2400 МГц, Тайминги - CL17, Напряжение питания - 1.2 В
474 ГрнID: 880417Есть в наличии- Модуль памяти для ноутбука SoDIMM DDR3 4GB 1600 MHz Goodram (GR1600S364L11S/4G)
DDR3, 4 ГБ, В наборе - 1, 1600 МГц, CL11, 1.5 В, 204-pin SO-DIMM
474 ГрнID: 601709Есть в наличии - Модуль памяти для компьютера DDR4 4GB 2666 MHz eXceleram (E404269A)
- DDR-3 4GB 1600 Hynix Original HMT451U6BFR8C-PBN0 AA DDR3 4GB 1600 MHz