Модуль памяти для ноутбука SoDIMM DDR5 32GB (2x16GB) 4800 MHz Kingston Fury (ex.HyperX) (KF548S38IBK2-32)

Описание Kingston SoDIMM DDR5 32GB (2x16GB) 4800 MHz

С превосходной скоростью, функцией Plug N Play, удвоенной с 16 до 32 количеством банков и удвоенной с 8 до 16 длиной пакета Kingston FURY Impact DDR5, идеально подходит для геймеров и энтузиастов, которым нужна высокая на платформах следующего поколения.

Увеличивая скорость, емкость и надежность, Kingston FURY Impact DDR5 предлагает целый арсенал расширенных функций, таких как ECC на кристалле (ODECC) для повышения стабильности на экстремальных скоростях, два 32-битных подканала для повышения эффективности и интегрированная в модуль схема управления питанием (PMIC) , что обеспечивает контроль и подстройку напряжений непосредственно на модуле памяти. При игре в самых экстремальных условиях, при стриминге в формате 4K и выше или при серьезной анимации и 3D-рендеринге Kingston FURY Impact DDR5 – это последующее повышение уровня, при котором идеально сочетаются стиль и производительность.

Кроме того Kingston FURY Impact DDR5 получила сертификат Intel XMP 3.0 и Certified, что означает, что пользователи могут рассчитывать на простой, стабильный и сертифицированный разгон.

Особенности:
Высокая производительность: Память DDR5 на 50% быстрее, чем DDR4, что добавляет производительность в играх, рендере и многозадачных средах.
Поддержка автоматического разгона Plug N Play Automatic Overclocking: Kingston FURY Impact DDR5 поддерживает автоматический разгон до максимальной частоты, указанной в спецификациях.
Сертификация Intel XMP 3.0: повышение производительности памяти с предварительно оптимизированными таймингами, скоростью и напряжением питания для разгона.
Ниже энергопотребление, более высокая эффективность: Снижение тепловыделения и повышение эффективности системы благодаря низкому напряжению питания памяти Impact DDR5 1.1 В.
Повышенная стабильность при разгоне Коррекция ошибок на кристалле (On-die ECC, ODECC) помогает обеспечить целостность данных при разгоне памяти для повышения ее производительности.