Модуль памяти для компьютера DDR5 8GB 6400 MHz Samsung (M333R1GB4PB1-CCP)
- Доставка
- Самовывоз г.Киев ул.Стрийская 3
- Отправка Новой почтой
- Отправка Укрпочтой
- Условия оплаты
- Для физ.лиц: наличный расчет, оплата на картку, наложенный платеж
- Безналичный для юр.лиц: 6477грн.
- Гарнатия
- Гарантийный срок: 24 мес.
- Возврат товара в течение 14 дней. Подробнее
- Информация по Samsung M333R1GB4PB1-CCP
- Производитель: Samsung
- Страна-производитель: Тайвань
- Гарантия: 24 мес.
- Модель: DDR5 8GB 6400 MHz
- Код производителя: M333R1GB4PB1-CCP
- Вес: 0.01 кг.
- Габариты: 14x10x1 см.
-
Краткое описание:
DDR5, 8 ГБ, В наборе - 1, Частота памяти - 6400 МГц, Тайминги - CL52, Напряжение питания - 1.1 В, Подсветка - нет
Характеристики Samsung DDR5 8GB 6400 MHz
| Тип памяти | DDR5 |
| Объем памяти | 8 ГБ |
| Количество модулей в наборе | 1 |
| Частота памяти | 6400 МГц |
| Стандарты памяти | PC5-51200 |
| Тайминги | CL52 |
| Напряжение питания | 1.1 В |
| Охлаждение | нет |
| Подсветка | нет |
| Форм-фактор памяти | 288-pin DIMM |
| Проверка и коррекция ошибок (ECC) | нет |
| Буферизация | unbuffered |
| (Сборка) Высота модуля памяти | низкая |
| (Сборка) Потребляемая мощность | 6 Вт |
| Примечание | Поставка товара возможна в ОЕМ-версии. То есть, товар может поставляться без сопровождающих материалов и дополнительных компонентов, в упаковке без оформления, гарантирующей только их безопасную транспортировку. |
Похожие по цене товары - Samsung M333R1GB4PB1-CCP
-
Модуль памяти для компьютера DDR4 16GB 3200 MHz Samsung (M378A2G43CB3-CWED0)
DDR4, 16 ГБ, В наборе - 1, Частота памяти - 3200 МГц, Тайминги - CL22, Напряжение питания - 1.2 В, Подсветка - нет
7861 ГрнID: 1810393Есть в наличииМодуль памяти для ноутбука SoDIMM DDR4 8GB 2666 MHz Samsung (M471A1K43DB1-CTD)
DDR4, 8 ГБ, В наборе - 1, 2666 МГц, CL18, 1.2 В, 260-pin SO-DIMM, non-ECC
2028 ГрнID: 1016424Есть в наличииМодуль памяти для ноутбука SoDIMM DDR4 4GB 3200 MHz Samsung (M471A5244CB0-CWE)
DDR4, 4 ГБ, В наборе - 1, 3200 МГц, CL22, 1.2 В, 260-pin SO-DIMM, non-ECC
932 ГрнID: 1359735Есть в наличииМодуль памяти для ноутбука SoDIM DDR3 8GB 1600 MHz Samsung (M471B1G73DB0-YK0)
DDR3, 8 ГБ, В наборе - 1, 1600 МГц, CL11, 1.35 В, 204-pin SO-DIMM, non-ECC
932 ГрнID: 1505982Есть в наличииМодуль памяти для ноутбука SoDIMM DDR3L 8GB 1600 MHz OEM Samsung (M471B1G73QH0-YK0)
DDR3, 8 ГБ, В наборе - 1, 1600 МГц, CL11, 1.35 В, 204-pin SO-DIMM, non-ECC
932 ГрнID: 640214Есть в наличииМодуль памяти для ноутбука Samsung M471A5244CB0-CTD
SoDIMM DDR4 4GB 2666 MHz, Тип памяти - DDR4, Объем памяти - 4 GB, Количество модулей в наборе - 1, Частота памяти - 2666 MHz, CL19, Напряжение - 1.2 V
904 ГрнID: 1016426Есть в наличииПохожие товары других производителей
-
Модуль памяти для ноутбука SoDIMM DDR4 16GB 2666 MHz Ripjaws G.Skill (F4-2666C19S-16GRS)
DDR4, 16 ГБ, В наборе - 1, 2666 МГц, CL19-19-19, 1.2 В, 260-pin SO-DIMM, non-ECC
6427 ГрнID: 1202440Есть в наличииМодуль памяти для компьютера DDR4 16GB 3000 MHz G.Skill (F4-3000C16S-16GISB)
DDR4, 16 ГБ, В наборе - 1, Частота памяти - 3000 МГц, Тайминги - CL16, Напряжение питания - 1.35 В, Подсветка - нет
6575 ГрнID: 941712Есть в наличииМодуль памяти для ноутбука SoDIMM DDR5 8GB 5600 MHz Micron (CT8G56C46S5T)
DDR5, 8 ГБ, В наборе - 1, 5600 МГц, CL46-45-45, 1.1 В, non-ECC
6328 ГрнID: 1679284Есть в наличииМодуль памяти для компьютера DDR4 16GB 3200 MHz Wibrand (WI3200DDR4D/16GB)
DDR4, 16 ГБ, В наборе - 1, Частота памяти - 3200 МГц, Тайминги - CL22, Напряжение питания - 1.2 В, Подсветка - нет
6279 ГрнID: 1660469Есть в наличииМодуль памяти для компьютера DDR4 16GB (2x8GB) 2666 MHz AEGIS G.Skill (F4-2666C19D-16GIS)
DDR4, 16 ГБ, В наборе - 2, Частота памяти - 2666 МГц, Тайминги - CL19, Напряжение питания - 1.2 В, Подсветка - нет, XMP
6719 ГрнID: 996959Есть в наличииМодуль памяти для ноутбука SoDIMM DDR5 8GB 5600 MHz Micron (CT8G56C46S5)
DDR5, 8 ГБ, В наборе - 1, 5600 МГц, CL46-45-45, 1.1 В, 262-pin SO-DIMM, non-ECC
6229 ГрнID: 1589441Есть в наличии