Модуль памяти для ноутбука SoDIMM DDR4 4GB 3200 MHz Samsung (M471A5244CB0-CWE)
- Доставка
- Самовывоз г.Киев ул.Стрийская 3
- Отправка Новой почтой
- Отправка Укрпочтой
- Условия оплаты
- Для физ.лиц: наличный расчет, оплата на картку, наложенный платеж
- Безналичный для юр.лиц: 445грн.
- Гарнатия
- Гарантийный срок: 36 мес.
- Возврат товара в течение 14 дней. Подробнее
- Информация по Samsung M471A5244CB0-CWE
- Производитель: Samsung
- Страна-производитель: Тайвань
- Гарантия: 36 мес.
- Модель: SoDIMM DDR4 4GB 3200 MHz
- Код производителя: M471A5244CB0-CWE
- Вес: 0.05 кг.
- Габариты: 3x1x7 см.
-
Краткое описание:
DDR4, 4 ГБ, В наборе - 1, 3200 МГц, CL22, 1.2 В, 260-pin SO-DIMM, non-ECC
Описание Samsung SoDIMM DDR4 4GB 3200 MHz
Модули памяти Samsung предназначены для широкого спектра приложений, обеспечивающих наилучшую производительность при низких требованиях к энергопотреблению.Характеристики Samsung SoDIMM DDR4 4GB 3200 MHz
Частота памяти | 3200 МГц |
Напряжение питания | 1.2В |
Проверка и коррекция ошибок (ECC) | нет |
Тип оперативной памяти | DDR4 |
Объем одного модуля | 4 ГБ |
Количество модулей в комплекте | 1 |
Назначение | для ноутбуков |
Цвет | зеленый |
Система охлаждения | нет |
Наличие подсветки | без подсветки |
Восстановленная | да |
Схема таймингов | 22-22-22 |
Стандарт памяти | PC4-25600 |
Форм-фактор | SO-DIMM |
CAS Latency (CL) | CL22 |
Поддержка профиля Intel XMP | нет |
Поддержка профиля AMD Expo | нет |
Линейка памяти | - |
Похожие по цене товары - Samsung M471A5244CB0-CWE
-
Модуль памяти для компьютера DDR4 4GB 2133 MHz Samsung (M378A5143EB1-CPB)
DDR4, 4 ГБ, В наборе - 1, Частота памяти - 2133 МГц, Тайминги - CL15, Напряжение питания - 1.2 В
445 ГрнID: 714474Есть в наличии- Модуль памяти DDR3 8GB/1600 Samsung (M378B1G73DB0-CK0)
Модуль памяти DDR3 8GB/1600 Samsung (M378B1G73DB0-CK0)
479 ГрнID: 1578827Есть в наличии- Модуль памяти SoDIMM DDR3 4GB 1600 MHz Samsung M471B5173EB0-YK0
1600 MHz, PC3-12800, 1 планка
390 ГрнID: 639074Есть в наличии- Модуль памяти для компьютера DDR4 8GB 3200 MHz Samsung (M378A1G44CB0-CWE)
DDR4, 8 ГБ, В наборе - 1, Частота памяти - 3200 МГц, Тайминги - CL22, Напряжение питания - 1.2 В, Подсветка - нет
779 ГрнID: 1503677Есть в наличии- Модуль памяти для компьютера DDR4 16GB 3200 MHz Samsung (M378A2G43CB3-CWE)
DDR4, 16 ГБ, В наборе - 1, Частота памяти - 3200 МГц, Тайминги - CL22, Напряжение питания - 1.2 В, Подсветка - нет
1504 ГрнID: 1536598Есть в наличии- Модуль памяти для ноутбука SoDIMM DDR4 16GB 3200 MHz Samsung (M471A2K43EB1-CWE)
DDR4, 16 ГБ, В наборе - 1, 3200 МГц, CL22, 1.2 В, non-ECC
1719 ГрнID: 1531617Есть в наличииПохожие товары других производителей
-
DDR3 4GB/1600 GOODRAM GR1600D364L11S/4G DDR3 4GB 1600 MHz
DDR3, 4 ГБ, В наборе - 1, Частота памяти - 1600 МГц, Тайминги - CL11, Напряжение питания - 1.5 В
444 ГрнID: 429822Есть в наличии- Модуль памяти для ноутбука SoDIMM DDR3L 4GB 1600 MHz Essentials Mushkin (992037)
DDR3, 4 ГБ, В наборе - 1, 1600 МГц, CL11, 1.35 В, 204-pin SO-DIMM, non-ECC
443 ГрнID: 1513937Есть в наличии- Модуль памяти для компьютера DDR4 4GB 2400 MHz INTELIGENTES (IU4BHC1/4)
DDR4, 4 ГБ, В наборе - 1, Частота памяти - 2400 МГц, Тайминги - CL17-17-17, Напряжение питания - 1.2 В, Подсветка - нет
450 ГрнID: 1669126Есть в наличии- Модуль памяти для компьютера DDR4 4GB 2666 MHz INTELIGENTES (IU4CHD1/4)
DDR4, 4 ГБ, В наборе - 1, Частота памяти - 2666 МГц, Тайминги - CL19-19-19, Напряжение питания - 1.2 В, Подсветка - нет
450 ГрнID: 1669127Есть в наличии- Модуль памяти для компьютера DDR4 4GB 2666 MHz Micron (CT4G4DFS8266)
DDR4, 4 ГБ, В наборе - 1, Частота памяти - 2666 МГц, Тайминги - CL19, Напряжение питания - 1.2 В
450 ГрнID: 919336Есть в наличии- Модуль памяти для ноутбука SoDIMM DDR4 4GB 2666 MHz INTELIGENTES (IS4CHD1/4)
DDR4, 4 ГБ, В наборе - 1, 2666 МГц, CL19-19-19, 1.2 В, non-ECC
435 ГрнID: 1669124Есть в наличии - Модуль памяти для ноутбука SoDIMM DDR3L 4GB 1600 MHz Essentials Mushkin (992037)
- Модуль памяти DDR3 8GB/1600 Samsung (M378B1G73DB0-CK0)