Оперативная память для ПК и ноутбуков

DDR4, 16 ГБ, В наборе - 1, 3200 МГц, CL22, 1.2 В, non-ECC

DDR5, 8 ГБ, В наборе - 1, 6400 МГц, CL52-52-52, 1.1 В, 262-pin SO-DIMM, non-ECC

DDR4, 16 ГБ, В наборе - 2, Частота памяти - 3200 МГц, Тайминги - CL18, Напряжение питания - 1.35 В, Подсветка - нет

DDR4, 32 ГБ, В наборе - 2, Частота памяти - 2666 МГц, Тайминги - CL19-19-19, Напряжение питания - 1.2 В, Подсветка - нет

DDR4, 16 ГБ, В наборе - 1, Частота памяти - 3200 МГц, Тайминги - CL16, Напряжение питания - 1.35 В, Подсветка - нет

DDR5, 8 ГБ, В наборе - 1, 5600 МГц, CL46-45-45, 1.1 В, non-ECC

DDR4, 16 ГБ, В наборе - 1, Частота памяти - 3200 МГц, Тайминги - CL16, Напряжение питания - 1.35 В, Подсветка - нет

DDR4, 16 ГБ, В наборе - 1, 3200 МГц, CL22, 1.2 В, 260-pin SO-DIMM, non-ECC

Память SO-DIMM DDR5 16 ГБ 4800 МГц Atria, 1.1V, CL40Ноутбук стал медленно открывать программы, зависать во время работы с браузером или дольше переключаться меж ... развернуть ду окнами? Дополнительный модуль оперативной памяти часто помогает решить такие повседневные трудности без замены всего устройства. Память SO-DIMM DDR5 Atria объемом 16 ГБ рассчитана на современные ноутбуки и компактные компьютеры с поддержкой DDR5.Модуль работает на частоте 4800 МГц и использует напряжение 1.1 В. Это базовые параметры стандарта DDR5, которые помогают системе быстро обмениваться данными с процессором. На практике это означает более комфортную работу с офисными документами, десятками вкладок, учебными программами и несложным редактированием фото.Для чего нужна оперативная память AtriaОперативная память хранит данные, которые компьютер использует прямо сейчас. Когда ее не хватает, система начинает активнее обращаться к накопителю, а скорость работы заметно падает. Установка модуля на 16 ГБ создает дополнительный запас для многозадачности свернуть

DDR4, 32 ГБ, В наборе - 2, Частота памяти - 2666 МГц, Тайминги - CL19-19-19, Напряжение питания - 1.2 В, Подсветка - нет

DDR4, 16 ГБ, В наборе - 1, Частота памяти - 3600 МГц, Тайминги - CL18-22-22, Напряжение питания - 1.35 В, Подсветка - нет, XMP

DDR4, 16 ГБ, В наборе - 1, Частота памяти - 3200 МГц, Тайминги - CL16-18-18, Напряжение питания - 1.35 В, Подсветка - RGB

DDR4, 32 ГБ, В наборе - 2, 3200 МГц, CL22-22-22, 1.2 В, non-ECC

DDR4, 16 ГБ, В наборе - 1, Частота памяти - 3600 МГц, Тайминги - CL18, Напряжение питания - 1.35 В, Подсветка - нет

DDR4, 16 ГБ, В наборе - 1, 3200 МГц, CL20, 1.2 В, 260-pin SO-DIMM, non-ECC

DDR4, 16 ГБ, В наборе - 2, 3200 МГц, CL20, 1.2 В, 260-pin SO-DIMM, non-ECC

DDR4, 32 ГБ, В наборе - 2, Частота памяти - 3200 МГц, Тайминги - CL16-20-20, Напряжение питания - 1.35 В, Подсветка - нет

DDR4, 32 ГБ, В наборе - 2, 2666 МГц, CL19, 1.2 В, 260-pin SO-DIMM, non-ECC, 120 месяцев

DDR4, 32 ГБ, В наборе - 2, Частота памяти - 3200 МГц, Тайминги - CL22-22-22, Напряжение питания - 1.2 В, Подсветка - нет

DDR4, 32 ГБ, В наборе - 2, Частота памяти - 3200 МГц, Тайминги - CL22-22-22, Напряжение питания - 1.2 В, Подсветка - нет

DDR5, 16 ГБ, В наборе - 1, 4800 МГц, CL40-39-39, 1.1 В, non-ECC

DDR4, 16 ГБ, В наборе - 1, 3200 МГц, CL22-22-22, 1.2 В, 260-pin SO-DIMM, non-ECC

DDR4, 32 ГБ, В наборе - 1, Частота памяти - 3200 МГц, Тайминги - CL22, Напряжение питания - 1.2 В, Подсветка - нет

DDR5, 16 ГБ, В наборе - 1, Частота памяти - 4800 МГц, Тайминги - CL40-40-40, Напряжение питания - 1.1 В, Подсветка - нет

Шаг в будущее Память GOODRAM DDR5 SODIMM представляет собой огромный технологический скачок по сравнению с предыдущими поколениями. Это также беспрецедентная ... развернуть производительность. Пользователи платформ, адаптированных к новейшему стандарту, непременно оценят разницу – памяти DDR5 DRAM представляют собой примерно 50% увеличение пропускной способности по сравнению с четвертым поколением, а также вдвое большее количество банков. Стабильность на таких высоких тактовых частотах гарантируется PMIC, встроенной микросхемой управления питанием. Высокая производительность Преимущества использования модулей Goodram последнего поколения включают более эффективную работу и загрузку системы, плавное переключение между программами и более быструю работу с большим количеством открытых окон браузера. Использование соответствующих технологических решений позволяет достичь высокой тактовой частоты, низкого энергопотребления и поддерживать стабильность модулей DDR5. Надежность Наши модули пятого поколения используют свернуть

DDR4, 16 ГБ, В наборе - 1, 3200 МГц, CL22, 1.2 В, 260-pin SO-DIMM, non-ECC

DDR4, 16 ГБ, В наборе - 1, Частота памяти - 3200 МГц, Тайминги - CL16, Напряжение питания - 1.35 В, Подсветка - нет

DDR5, 16 ГБ, В наборе - 1, Частота памяти - 5200 МГц, Тайминги - CL42-42-42, Напряжение питания - 1.1 В, Подсветка - нет

DDR4, 32 ГБ, В наборе - 2, Частота памяти - 3200 МГц, Тайминги - CL22-22-22, Напряжение питания - 1.2 В, Подсветка - нет

DDR4, 16 ГБ, В наборе - 1, Частота памяти - 3600 МГц, Тайминги - CL18-22-22, Напряжение питания - 1.35 В, Подсветка - RGB

DDR4, 32 ГБ, В наборе - 2, Частота памяти - 3200 МГц, Тайминги - CL22-22-22, Напряжение питания - 1.2 В, Подсветка - нет

DDR4, 16 ГБ, В наборе - 1, Частота памяти - 3200 МГц, Тайминги - CL22, Напряжение питания - 1.2 В

DDR4, 32 ГБ, В наборе - 2, Частота памяти - 3200 МГц, Тайминги - CL22-22-22, Напряжение питания - 1.2 В, Подсветка - нет, XMP 2.0

DDR4, 16 ГБ, В наборе - 1, Частота памяти - 3200 МГц, Тайминги - CL22-22-22, Напряжение питания - 1.2 В, Подсветка - нет

DDR4, 32 ГБ, В наборе - 2, Частота памяти - 3200 МГц, Тайминги - CL22-22-22, Напряжение питания - 1.2 В, Подсветка - нет, XMP 3.0, EXPO 1.1

DDR4, 16 ГБ, В наборе - 2, Частота памяти - 3200 МГц, Тайминги - CL16-18-18, Напряжение питания - 1.35 В, Подсветка - нет, XMP