Накопитель SSD Samsung MZ-75E1T0BW
Описание Samsung MZ-75E1T0BW
http://www.samsung.com/ru/consumer/memory-storage/ssd/850-evo/MZ-75E1T0BW
1 трлн байт *Определенная часть памяти может быть занята системными файлами, поэтому доступный пользователю объём памяти может быть меньше указанного в технических характеристиках.
Интерфейсы SATA 6 Гб/с Интерфейс, совместимый с SATA 3 Гб/с и SATA 1,5 Гб/с интерфейсами
Размеры (ШxВxГ) 100,00 x 69,85 x 6,80 (мм)
Вес (г.) Макс. 55 г.
Память Samsung V-NAND
Контроллер Samsung MGX Контроллер
Кэш память Samsung 1 ГБ низковольтовая DDR3 SDRAM
Поддержка шифрования AES 256 bit Encryption (Class 0) , TCG/Opal, IEEE1667 (Encrypted drive)
Поддержка технологии TRIM Да
S.M.A.R.T Support Да
Поддержка технологии GC (Garbage Collection) для макс. производительности Алгоритм автоматической сборки мусора
Скорость последовательного чтения До 540 МБ/сек последовательное (Sequential) чтение * Производительность может зависеть от настроек ОС и аппаратной части
Скорость последовательной записи До 520 МБ/сек последовательная (Sequential) запись * Производительность может зависеть от настроек ОС и аппаратной части
Cкорость случайного чтения блоками 4KB (QD32) До 98 000 IOPS случайное (Random) чтение * Производительность может зависеть от настроек ОС и аппаратной части
Скорость случайной записи блоками 4KB (QD32) До 90 000 IOPS случайная (Random) запись * Производительность может зависеть от настроек ОС и аппаратной части
Случайное чтение (4KB, QD1) До 10 000 IOPS случайное (Random) чтение * Производительность может зависеть от настроек ОС и аппаратной части
Случайная запись (4KB, QD1) До 40 000 IOPS случайная (Random) запись * Производительность может зависеть от настроек ОС и аппаратной части
Среднее энергопотребление (на системном уровне) *: 2,7 Ватта *Максимум: 4,4 Ватта (в режиме нагрузки) *Фактическое энергопотребление может зависеть от настроек ОС и аппаратной части
Энергопотребление в ждущем режиме Макс. 50 мВатт *Фактическое энергопотребление может зависеть от настроек ОС и аппаратной части
Напряжение питания 5 В ± 5% Допустимое напряжение
Среднее время наработки на отказ (MTBF) 1,5 Миллион часов (MTBF)
Диапазон рабочих температур 0 - 70 °C Рабочая температура
Ударостойкость 1 500 Г & 0,5 мс (Полусинусоида)
Установочный комплект - Не доступно
Программное обеспечение - Magician Software для управления SSD доступно для загрузки с сайте производителя
Гарантия 5 лет ограниченной гарантии или 150 TBW (Total Bytes Written) ограниченной гарантии
Характеристики Samsung MZ-75E1T0BW
Форм-фактор | 2.5" |
Размещение устройства | Внутренний |
Емкость накопителя | 1 ТБ |
Поддерживаемые каналы данных | SATA III-600 |
Внешняя скорость передачи данных | 6 Гбит/с |
Емкость установленной кэш-памяти | 1 ГБ |
SSD Controller | Samsung MGX |
Флэш-технология ячейки памяти | MLC |
Максимальная скорость случайного чтения | 98000 IOPS |
Максимальная скорость случайной записи | 90000 IOPS |
Максимальная скорость последовательного чтения | 540 МБ/сек. |
Максимальная скорость последовательной записи | 520 МБ/сек. |
Количество интерфейсов SATA III | 1 |
Средняя наработка на отказ | 1500000 ч |
Функциональные особенности SSD | Поддержка TRIM AES 256-bit Encryption Поддержка WWN |
Соответствие стандартам хранения | S.M.A.R.T. |
Ударостойкость при хранении | 1500G @ 0.5ms |
Устойчивость к вибрации при хранении | 20G @ 20-2000Гц |
Номинальное напряжение питания | 5 В |
Максимальная потребляемая энергия | 7.2 Вт |
Минимальная потребляемая энергия | 50 мВт |
Максимальная температура окружающей среды при работе | 70 °C |
Минимальная температура окружающей среды при работе | 0 °C |
Максимальная влажность при работе | 95 % |
Минимальная влажность при работе | 5 % |
Максимальная температура окружающей среды при хранении | 85 °C |
Минимальная температура окружающей среды при хранении | -40 °C |
Программное обеспечение в комплекте | Magician Software |
Глубина | 69.85 мм |
Высота | 6.8 мм |
Ширина | 100 мм |