Модуль памяти для компьютера DDR4 4GB 2133 MHz Samsung (M378A5143EB1-CPB)
- Доставка
- Самовывоз г.Киев ул.Стрийская 3
- Отправка Новой почтой
- Отправка Укрпочтой
- Условия оплаты
- Для физ.лиц: наличный расчет, оплата на картку, наложенный платеж
- Безналичный для юр.лиц: 445грн.
- Гарнатия
- Гарантийный срок: 36 мес.
- Возврат товара в течение 14 дней. Подробнее
- Информация по Samsung M378A5143EB1-CPB
- Производитель: Samsung
- Страна-производитель: Тайвань
- Гарантия: 36 мес.
- Модель: DDR4 4GB 2133 MHz
- Код производителя: M378A5143EB1-CPB
- Вес: 0.053 кг.
- Габариты: 14x4x1 см.
-
Краткое описание:
DDR4, 4 ГБ, В наборе - 1, Частота памяти - 2133 МГц, Тайминги - CL15, Напряжение питания - 1.2 В
Описание Samsung DDR4 4GB 2133 MHz
Модуль памяти для компьютера DDR4 4GB 2133 MHz Samsung (M378A5143EB1-CPB)
созданы на базе новейшего поколения технологии DDR. Как и все модули памяти компании, модули памяти DDR3 спроектированы и созданы таким образом, чтобы полностью соответствовать всем требованиям энтузиастов в области разгона ПК. Модули памяти DDR4 обеспечивают более высокую скорость, более низкое время задержки, более высокую пропускную способность и уменьшенное энергопотребление по сравнению с модулями памяти DDR3.
Память обеспечит Вам быструю результативную работу за компьютером и комфортный отдых! Оперативная память – одна из важнейших деталей Вашего компьютера. Память поможет ускорить обмен данными на компьютере. Оперативная память незаменима для выполнения различных задач, таких как: работа с объемными текстами, таблицами, графиками; архивирование, шифрование, работа с базами данных; компьютерные игры, а также многие другие задачи.
Характеристики Samsung DDR4 4GB 2133 MHz
Память | |
---|---|
Технология памяти: | DDR4 SDRAM |
Емкость устройства памяти: | 4 ГБ |
Форм-фактор памяти: | DIMM 288-pin |
Количество модулей памяти: | 1 |
Метод обнаружения ошибок: | Non-ECC |
Конфигурация модуля памяти: | 512 x 64 |
Скорость памяти: | 2133МГц(PC4-17000) |
Задержка идентификации столбца: | CL15 |
Характеристики памяти: | Небуферизированная Одноранговая |
Совместимые устройства: | PC |
Условия эксплуатации | |
Номинальное напряжение питания: | 1.2 В |
Прочая информация | |
Тип упаковки: | Розничная |
Похожие по цене товары - Samsung M378A5143EB1-CPB
-
Модуль памяти для ноутбука SoDIMM DDR4 4GB 3200 MHz Samsung (M471A5244CB0-CWE)
DDR4, 4 ГБ, В наборе - 1, 3200 МГц, CL22, 1.2 В, 260-pin SO-DIMM, non-ECC
445 ГрнID: 1359735Есть в наличии- Модуль памяти DDR3 8GB/1600 Samsung (M378B1G73EB0-CK0)
Модуль памяти DDR3 8GB/1600 Samsung (M378B1G73EB0-CK0)
478 ГрнID: 608028Есть в наличии- Модуль памяти DDR3 8GB/1600 Samsung (M378B1G73DB0-CK0)
Модуль памяти DDR3 8GB/1600 Samsung (M378B1G73DB0-CK0)
478 ГрнID: 1578827Есть в наличии- Модуль памяти SoDIMM DDR3 4GB 1600 MHz Samsung M471B5173EB0-YK0
1600 MHz, PC3-12800, 1 планка
389 ГрнID: 639074Есть в наличии- Модуль памяти для компьютера DDR4 8GB 3200 MHz Samsung (M378A1G44CB0-CWE)
DDR4, 8 ГБ, В наборе - 1, Частота памяти - 3200 МГц, Тайминги - CL22, Напряжение питания - 1.2 В, Подсветка - нет
779 ГрнID: 1503677Есть в наличии- Модуль памяти для компьютера DDR4 16GB 3200 MHz Samsung (M378A2G43CB3-CWE)
DDR4, 16 ГБ, В наборе - 1, Частота памяти - 3200 МГц, Тайминги - CL22, Напряжение питания - 1.2 В, Подсветка - нет
1504 ГрнID: 1536598Есть в наличииПохожие товары других производителей
-
DDR3 4GB/1600 GOODRAM GR1600D364L11S/4G DDR3 4GB 1600 MHz
DDR3, 4 ГБ, В наборе - 1, Частота памяти - 1600 МГц, Тайминги - CL11, Напряжение питания - 1.5 В
444 ГрнID: 429822Есть в наличии- Модуль памяти для ноутбука SoDIMM DDR3L 4GB 1600 MHz Essentials Mushkin (992037)
DDR3, 4 ГБ, В наборе - 1, 1600 МГц, CL11, 1.35 В, 204-pin SO-DIMM, non-ECC
443 ГрнID: 1513937Есть в наличии- Модуль памяти для компьютера DDR4 4GB 2400 MHz INTELIGENTES (IU4BHC1/4)
DDR4, 4 ГБ, В наборе - 1, Частота памяти - 2400 МГц, Тайминги - CL17-17-17, Напряжение питания - 1.2 В, Подсветка - нет
450 ГрнID: 1669126Есть в наличии- Модуль памяти для компьютера DDR4 4GB 2666 MHz INTELIGENTES (IU4CHD1/4)
DDR4, 4 ГБ, В наборе - 1, Частота памяти - 2666 МГц, Тайминги - CL19-19-19, Напряжение питания - 1.2 В, Подсветка - нет
450 ГрнID: 1669127Есть в наличии- Модуль памяти для компьютера DDR4 4GB 2666 MHz Micron (CT4G4DFS8266)
DDR4, 4 ГБ, В наборе - 1, Частота памяти - 2666 МГц, Тайминги - CL19, Напряжение питания - 1.2 В
450 ГрнID: 919336Есть в наличии- Модуль памяти для ноутбука SoDIMM DDR4 4GB 2666 MHz INTELIGENTES (IS4CHD1/4)
DDR4, 4 ГБ, В наборе - 1, 2666 МГц, CL19-19-19, 1.2 В, non-ECC
435 ГрнID: 1669124Есть в наличии - Модуль памяти для ноутбука SoDIMM DDR3L 4GB 1600 MHz Essentials Mushkin (992037)
- Модуль памяти DDR3 8GB/1600 Samsung (M378B1G73EB0-CK0)