Модуль памяти для ноутбука Samsung M471A5244CB0-CTD
- Доставка
- Самовывоз г.Киев ул.Стрийская 3
- Отправка Новой почтой
- Отправка Укрпочтой
- Условия оплаты
- Для физ.лиц: наличный расчет, оплата на картку, наложенный платеж
- Безналичный для юр.лиц: 911грн.
- Гарнатия
- Гарантийный срок: 36 мес.
- Возврат товара в течение 14 дней. Подробнее
- Информация по Samsung M471A5244CB0-CTD
- Производитель: Samsung
- Гарантия: 36 мес.
- Модель: M471A5244CB0-CTD
- Вес: 0.1 кг.
- Габариты: 3x1x6 см.
-
Краткое описание:
SoDIMM DDR4 4GB 2666 MHz, Тип памяти - DDR4, Объем памяти - 4 GB, Количество модулей в наборе - 1, Частота памяти - 2666 MHz, CL19, Напряжение - 1.2 V
Описание Samsung M471A5244CB0-CTD
Оперативная память Samsung 4 GB SO-DIMM DDR4 2666 MHz (M471A5244CB0-CTD) сконструирована в соответствии с PC4-21300 стандартом и наполнена 4 ГБ рабочего пространства. Под модель годятся 260-pin SO-DIMM слота DDR4 типа, имеющих в инвентаре 1,2 В напряжения. В них, пользователь может требовать от оперативной памяти Samsung 4 GB SO-DIMM DDR4 2666 MHz (M471A5244CB0-CTD) заявленных производителем 2666 МГц эффективной частоты и CL19 таймингов.Характеристики Samsung M471A5244CB0-CTD
| Память | |
|---|---|
| Технология памяти: | DDR4 SDRAM |
| Емкость накопителя: | 4 ГБ |
| Форм-фактор памяти: | SODIMM 260-pin |
| Количество модулей памяти: | 1 |
| Метод обнаружения ошибок: | Non-ECC |
| Конфигурация модуля памяти: | 512 x 16 |
| Скорость памяти: | 2666МГц(PC4-21300) |
| Характеристики памяти: | Небуферизированная Одноранговая |
| Совместимые устройства: | Ноутбук Прочие устройства |
| Условия эксплуатации | |
| Номинальное напряжение питания: | 1.2 В |
| Гарантия | |
| Гарантия: | Да |
| Гарантийный срок: | 24 мес. |
| Критерий оценки гарантии: | Серийный номер |
Похожие по цене товары - Samsung M471A5244CB0-CTD
-
Модуль памяти для ноутбука SoDIMM DDR4 4GB 3200 MHz Samsung (M471A5244CB0-CWE)
DDR4, 4 ГБ, В наборе - 1, 3200 МГц, CL22, 1.2 В, 260-pin SO-DIMM, non-ECC
939 ГрнID: 1359735Есть в наличииМодуль памяти для компьютера DDR4 16GB 3200 MHz Samsung (M378A2G43CB3-CWED0)
DDR4, 16 ГБ, В наборе - 1, Частота памяти - 3200 МГц, Тайминги - CL22, Напряжение питания - 1.2 В, Подсветка - нет
8425 ГрнID: 1810393Есть в наличииМодуль памяти для ноутбука SoDIMM DDR5 16GB 6400 MHz Samsung (M435R2GA3PB1-CCP)
DDR5, 16 ГБ, В наборе - 1, 6400 МГц, CL40, 1.1 В, 262-pin SO-DIMM, non-ECC
14992 ГрнID: 1816927Есть в наличииМодуль памяти для ноутбука SoDIMM DDR5 32GB 4800 MHz Samsung (M425R4GA3BB0-CQK)
DDR5, 32 ГБ, В наборе - 1, 4800 МГц, CL40, 1.1 В, non-ECC
19410 ГрнID: 1764574Есть в наличииМодуль памяти для компьютера DDR5 8GB 6400 MHz Samsung (M333R1GB4PB1-CCP)
DDR5, 8 ГБ, В наборе - 1, Частота памяти - 6400 МГц, Тайминги - CL52, Напряжение питания - 1.1 В, Подсветка - нет
6519 ГрнID: 1810395Под заказМодуль памяти для сервера DDR4 32GB ECC RDIMM 3200MHz 2Rx4 1.2V CL22 Samsung (M393A4K40DB3-CWE)
3200 МГц, CL22, 1.2 В, ECC, Registered, 2Rx4
16233 ГрнID: 1100832Под заказПохожие товары других производителей
-
Модуль памяти для ноутбука SoDIMM DDR3L 8GB 1600 MHz OEM Hynix (HMT41GS6BFR8A-PB)
DDR3, 8 ГБ, В наборе - 1, 1600 МГц, CL11, 1.35 В, 204-pin SO-DIMM, non-ECC, нет
939 ГрнID: 995121Есть в наличииМодуль памяти SO-DIMM DDR3L 8GB/1600 Micron (MT16KTF1G64HZ-1G9P1)
Модуль памяти SO-DIMM DDR3L 8GB/1600 Micron (MT16KTF1G64HZ-1G9P1)
939 ГрнID: 1849202Есть в наличииМодуль памяти SO-DIMM 8GB/1600 DDR3L Kingston (KN2M64-ETB)
Модуль памяти SO-DIMM 8GB/1600 DDR3L Kingston (KN2M64-ETB)
944 ГрнID: 1818493Есть в наличииПам'ять до ноутбука AMD DDR3 1600 8GB 1.5V SO-DIMM R538G1601S2S-U
DDR3, 8 ГБ, В наборе - 1, 1600 МГц, CL11, 1.5 В, 204-pin SO-DIMM, non-ECC
953 ГрнID: 701823Есть в наличииМодуль памяти для компьютера DDR3L 8GB 1600 MHz Golden Memory (GM16LN11/8)
DDR3, 8 ГБ, В наборе - 1, Частота памяти - 1600 МГц, Тайминги - CL11, Напряжение питания - 1.35 В
958 ГрнID: 900360Есть в наличииМодуль памяти для ноутбука SoDIMM DDR3 8GB 1600 MHz Golden Memory (GM16S11/8)
DDR3, 8 ГБ, В наборе - 1, 1600 МГц, CL11, 1.5 В, 204-pin SO-DIMM, non-ECC
964 ГрнID: 885761Есть в наличии